- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機(jī)
- 涂布機(jī)
- 等離子清洗機(jī)
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機(jī)
- 快速退火爐
- 晶體生長(zhǎng)爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機(jī)
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束,激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機(jī)
- 真空手套箱
- 真空熱壓機(jī)
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計(jì)
- 真空法蘭
- 混料機(jī)設(shè)備
- UV光固機(jī)
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
CY-MSZ180-I-DC-Q磁控濺射鍍膜儀的特點(diǎn)
1:設(shè)有真空表、濺射電流表,可實(shí)時(shí)監(jiān)控設(shè)備工作狀態(tài)。
2:可通過調(diào)節(jié)濺射電流控制器和微型真空閥來控制真空室壓強(qiáng)、電離電流,以獲得*佳鍍膜效果。
3:真空室石英腔體邊緣的橡膠密封圈采用了特殊設(shè)計(jì),得以保證真空室長(zhǎng)期使用且不出現(xiàn)崩邊現(xiàn)象。
4:用更加經(jīng)久耐用的陶瓷橡膠密封圈取代了通常用的橡膠密封。
5:采用了大容量濺射真空室和相應(yīng)面積的濺射靶,是濺鍍出的膜層更加均勻純凈。
6:濺射頭采用了特殊的制冷技術(shù),可以得到高性能、精細(xì)顆粒的圖層。
7:可用水冷濺射頭、水冷載物臺(tái)。
技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱
桌面型單靶磁控鍍膜儀
產(chǎn)品型號(hào)
CY-MSZ180-I-DC-Q
樣品臺(tái)
外形尺寸
φ100mm
加熱溫度
≦500℃
可調(diào)轉(zhuǎn)速
≦20rpm
磁控靶槍
配一支兩英寸磁控靶,靶材尺寸:直徑50.8mm,厚度≦3mm
真空腔體
腔體尺寸
φ180mm X 215mm
觀察窗口
全向透明
腔體材料
高純石英
開啟方式
上蓋拆卸式
真空系統(tǒng)
前級(jí)泵
低噪音雙極旋片泵
分子泵
低噪音大抽速渦輪分子泵
真空測(cè)量
復(fù)合真空計(jì),量程:10-5~105Pa
抽氣接口
KF16
抽氣接口
KF40
排氣接口
KF16
系統(tǒng)真空
1.0×10-4Pa
供電電源
AC 220V 50/60Hz
抽氣速率
分子泵抽速600L/s,前級(jí)泵抽速1.1L/s
電源配置
電源數(shù)量
直流電源一套
輸出功率
≦150W
其他參數(shù)
供電電壓
AC220V,50Hz
整機(jī)功率
2kW
整機(jī)尺寸
550mm X 350mm X400mm
免責(zé)聲明:本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等),僅供參考。可能由于更新不及時(shí),會(huì)造成所述內(nèi)容與實(shí)際情況存在一定的差異,請(qǐng)與本公司銷售人員聯(lián)系確認(rèn)。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,本公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知。