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1200℃RTP退火爐是一款12寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術,可實現(xiàn)真正的基底溫度測量,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償,溫度控制**,溫度重復性高,客戶包括國際上許多半導體公司及知名科研團隊,是半導體制程退火工藝的理想選擇。
技術特色:
? 真正的基片溫度測量,無需傳統(tǒng)的溫度補償
? 紅外鹵素管燈加熱
? 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性
? 快速數(shù)字PID溫度控制
? 不銹鋼冷壁真空腔室
? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好
? 帶觸摸屏的PC控制
? 兼容常壓和真空環(huán)境,真空度標準值為5×10-3Torr,采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr
? *高3路氣體(MFC控制)
? 沒有交叉污染,沒有金屬污染
技術參數(shù):
產品名稱 |
1200℃RTP退火爐 |
產品型號 |
CY-RTP1000-Φ300-T |
基片尺寸 |
12英寸 |
基片基座 |
石英針(可選配SiC涂層石墨基座) |
溫度范圍 |
150-1200℃ |
加熱速率 |
10-150℃/S |
溫度均勻性 |
≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
溫度控制精度 |
≤ ±3℃ |
溫度重復性 |
≤ ±3℃ |
真空度 |
5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr |
氣路供應 |
標準1路N2吹掃及冷卻氣路,由MFC控制(*多可選3路) |
退火持續(xù)時間 |
≥10min@1200℃ |
溫度控制 |
快速數(shù)字PID控制 |
尺 寸 |
890mm*950mm*1400mm |